台积电和三星一向都是属在合作状况，近日高通公布旗下的7nm 5G芯片由三星代工，台积电再一次掉队三星。比力当前的10nm Fin�����APPFET工艺，7nm会在某些处所更占劣势。

三星在官网公布，高通将来的5G挪动装备芯片将基在他们的7nm LPP工艺制造，该手艺节点会引入EUV（极紫外光刻）。

2017年5月，三星首秀了7nm LPP EUV工艺，同年7月，三星放言，在2018年会比敌手台积电更早地量产7nm。

三星流露，比力当前的10nm FinFET工艺，7nm将实现面积缩小40%、10%的机能晋升、35%的功耗降落。

风趣的是，高通在本月还推出了基在7nm工艺的X24基带，可是一款4G LTE产物，不晓得是否是三星介入制造，究竟在此次的旧事稿中没有被证明。

而爆料年夜神Roland曾暗示，高通的首款7nm AP是骁龙855，仿佛找不出甚么来由忽然让台积电横插入代工。

别的，三星在2017年10月公布正开辟介在10nm和7nm的8nm中心制程，一样是和三星合作，看来二者的关系将来是更铁了。

三星位在韩国华城的半导体工场，图片来自三星官网