本文来自联讯证券，作者：王凤华，本文作为转动分享。2019年全球电子财产将连结增加

ICInsights估计2018年全球电子产物发卖额16220亿美元，同比增加5.1%，2019年将到达16800亿美元，同比增加3.5%，2017~2021年CAGR=4.6%。

估计2019年通讯市场发卖额5350亿美元，照旧是最年夜的板块，同比增加3.9%，2017~2021年CAGR=4.8%。

随后顺次计较机4270亿美元，同比增加2.2%，CAGR=3.3%;工业/医疗/其他2450亿美元，同比增加3.8%，CAGR=5.4%;消费电子2040亿美元，同比增加3.6%，CAGR=4.5%;汽车1620亿美元，同比增加6.3%，CAGR=6.4%，汽车电子将会是增速最快的范畴;当局/兵工1070亿美元，同比增加2.9%，CAGR=3.8%。

2019年各细分范畴的发卖额占比别离为通讯（32%）、计较机（25%）、工业/医疗/其他（15%）、消费电子（12%）、汽车（10%）、当局/兵工（6%）。

5G：引领立异海潮，开启全新时期

5G是挪动通讯手艺的严重变化，其机能比拟今朝收集将年夜幅晋升。凭仗无处不在的高速毗连，5G将引领新一轮倾覆性立异海潮。

5G具有三年夜利用场景：

1.加强挪动宽带（eMBB）;2.高靠得住低时延毗连（uRLLC）;3.海量物联（mMTC）。

加强挪动宽带（eMBB）为稠密城市、农村、高活动性情况和室内情况供给极高的吞吐量。用户将可以或许在几秒钟内下载3D视频等数千兆字节的数据，而且AR/VR将成为平常利用。

高靠得住低时延毗连（uRLLC）利用首要有无人驾驶、公共和公共交通系统、无人驾驶飞翔器、工业主动化、长途医疗和智能电网监控等。

海量物联（mMTC）是为智能城市、家居、电网、楼宇、制造、物流、农业、矿业等海量装备供给毗连。

在这根本之上，AR/VR、物联网、车联网、8K、聪明城市等利用将鼓起。

5G一般分为两个频段。

此中一个利用低在6GHz频次的频段，该频段在4GLTE上略有改良。

另外一个操纵24GHz以上频次的频谱，并终究走向毫米波手艺。将来收集将是4GLTE与5GNR持久共存的状况。

2018年6月5G初版尺度R15正式冻结，撑持eMBB场景，部门撑持uRLLC场景，暂不撑持mMTC场景。5G商用正式开启。估计2019年末第二版尺度R16将冻结，周全撑持三年夜利用场景。

我国打算2018年范围实验，2019年预商用，2020年范围商用。

今朝第一阶段要害手艺验证、第二阶段手艺方案验证已完成。今朝华为已率先完成第三阶段系统验证。我国与国外进展根基同步。

估计2019~2022年是中频段收集扶植稠密期，可实现eMBB利用。

2022~2025年是毫米波收集扶植稠密期，可实现uRLLC、mMTC利用。估计我国2020~2025年是主扶植期，2020~2022是全部周期的扶植稠密期。

上游芯片厂已连续推出撑持5G手艺的调制解调器芯片，包罗高通SnapdragonX50、联发科HelioM70、英特尔XMM8000系列、三星ExynosModem5000系列、海思Balong5000系列等。

以各家的进度来看，估计来岁上半年进行客户送样认证，来岁下半年量产出货。

TSR估计2019年5G手机最先出货，随后出货量不竭增加。

5G版小米Mix3或在2019年欧洲上市。

三星估计2019年春季推出5G版GalaxyS10Plus手机。

华为打算在2019年2月MWC推出可折叠5G手机，与此同时可能还会推出搭载5G基带的P30Pro手机。

中兴将在2019年上半年推出5G商用手机。

三年夜运营商已取得全国规模5G中低频段实验频次利用许可。

固然正式的5G商用派司还没有下发，但三年夜运营商各自频谱肯定的意义依然十分严重，最间接的影响就是运营商能够结合财产链火伴进行5G收集扶植。

这为财产界释放了明白旌旗灯号，将加速我国5G收集扶植和财产链的成长。

5G扶植将带动基站、终端等硬件需求的增加，手艺变化也将带来新的市场机遇。

天线、PCB、射频前端、电磁屏障等元器件和财产链相干公司将取得新的增加动力。

在5G收集慢慢完美以后，响应的利用如车联网、AR/VR等将会逐步开辟并渗入，这将开启更广漠的空间。

射频前端：5G时期迎来快速增加

射频前端（RFFE，RadioFrequencyFrontEnd）模块是挪动终端通讯系统的焦点组件。低功耗、高机能、低本钱是其手艺进级的首要驱动力。

挪动终端中的射频器件首要包罗功率放年夜器（PA，PowerAmplifier）、双工器（Duplexer）、射频开关（Switch）、滤波器（Filter）、低噪放年夜器（LNA，LowNoiseAmplifier）等。

5G时期射频前端元器件用量快速增加，系统复杂水平也将提高。

射频前真个价值量从2G~4G不竭晋升，4G时期平均本钱（全频段）约10美元，4.5G到达约18美元，估计5G将跨越50美元。

Yole数据显示2017年手机射频前端市场范围150亿美元，估计2023年将到达352亿美元，2017~2023年CAGR=14%。

滤波器市场范围最年夜。2017年约80亿美元，估计2023年将到达225亿美元，2017~2023年CAGR=19%，首要来自在高频通讯对BAW（BulkAcousticWave）滤波器的需求增加。

功率放年夜器市场范围位在第二位。2017年到达50亿美元，估计2023年将到达70亿美元，2017~2023年CAGR=7%。高端LTEPA市场将连结增加，特别是在高频和超高频段，可是2G/3GPA市场将会阑珊。

射频开关市场范围位居第三位。2017年开关为10亿美元，估计2023年将到达30亿美元，2017~2023年CAGR=15%。

2017年低噪声放年夜器市场范围2.46亿美元，估计2023年将到达6.02亿美元，2017~2023年CAGR=16%。首要是多种射频前端模组的利用和其在手机中与PA模块集成。

2017年天线调谐器市场范围4.63亿美元，估计2023年将到达10亿美元，2017~2023年CAGR=15%。首要受益在4×4MIMO手艺的渗入。估计2023年毫米波前端模组的市场范围将到达4.23亿美元。 

今朝射频开关、天线调谐器首要采取RF-SOI手艺。滤波器、双工首要是SAW/BAW。

PA能够用CMOS、GaAs、RF-SOI手艺。低噪声放年夜器能够用GaAs、RF-SOI手艺。

进入5G时期，Sub-6GHz和毫米波阶段各射频元器件的材料和手艺可能会有所转变。SOI有可能成为主要手艺，具有建造多种元器件的潜力，同时后续有益在集成。

1、滤波器：市场范围最年夜的细分范畴

Skyworks估计2020年5G利用撑持的频段数目将翻番，新增50个以上通讯频段，全球2G/3G/4G/5G收集合计撑持的频段将到达91个以上。

频段数上升将带来射频滤波器利用数目增加。

理论上每增添一个频段需增添2个滤波器。因为滤波器集成在模组，两者其实不是简单的线性增添的关系。

双工器由两个滤波器构成，可在一条信道上实现双向通讯。半双工是通讯两边轮番收发。全双工是通讯两边同时收发。全双工经由过程频分双工（FDD）或时分双工（TDD）实现。

射频滤波器包罗声概况滤波器（SAW，SurfaceAcousticWave）、体声波滤波器（BAW，BulkAcousticWave）、MEMS滤波器、IPD（IntegratedPassiveDevices）等。

SAW和BAW滤波器是今朝手机利用的支流滤波器。

采取MEMS工艺出产滤波器依然具有挑战。MEMS手艺制造滤波用具有极高的手艺门坎，在包管高度分歧性和高质量的前提下实现年夜范围量产难度较年夜。

全球SAW滤波器市场份额前五位的厂商别离为村田（47%）、TDK（21%）、太阳诱电（14%）、Skyworks（9%）、Qorvo（4%），合计占比达95%。

全球BAW滤波器市场份额前三位别离为博通（87%）、Qorvo（8%）、太阳诱电（3%），合计占比达98%。

国内SAW滤波器的厂商有麦捷科技、德清华莹（信维通讯入股）和洽达电子等。

2、功率放年夜器：GaAsPA还是支流

PA的感化是将低功率旌旗灯号进行放年夜。PA间接决议了手机无线通讯的距离、旌旗灯号质量，乃至待机时候，是射频系统中的主要部门。手机频段延续增添，PA的数目也随之增添。

4G多模多频手机所需PA芯片5~7颗。StrategyAnalytics估计5G时期手机内的PA或多达16颗。

今朝GaAsPA是支流。CMOSPA因为机能的缘由，只用在低端市场。Qorvo估计跟着5G的到临，8GHz以下GaAsPA还是支流，但8GHz以上GaN无望在手机市场成为主力。

2016年全球PA市场绝年夜部门份额被Skyworks、Qorvo、Broadcom、Murata占有，四家厂商合计占比到达97%，此中前三家合计占比到达�����APP92%。带领厂商Skyworks、Qorvo和Broadcom采取IDM模式。晶圆代工模式也在鼓起，首要有***稳懋等。

国内设想公司有近20家，首要有汉全国、唯捷创芯、紫光展锐等。国内晶圆代工场商首要有三安光电、海特高新。

3、5G带动SOI市场增加

2011年智妙手机中还未利用RF-SOI产物。2010年GaAs射频开关是支流手艺。

RF-SOI产物在机能和功耗相当的环境下将本钱降落30%、die尺寸削减50%，在不到5年的时候内替换GaAs开关。

Navian数据显示90%的射频开关和调谐器基在RF-SOI制造。5G时期基在RF-SOI的射频开关利用数目会增添。

虽然射频开关的出货量庞大，但市场合作剧烈，价钱压力较年夜，ASP为10~20美分。今朝智妙手机中均有RF-SOI产物，将来还将继续增加。

Yole数据显示2016年全球绝缘体上硅（SOI，SiliconOnInsulator）市场范围4.293亿美元，估计2022年将到达18.593亿美元，2017~2022年CAGR=29.1%。市场驱动力首要来自消费电子市场增加带来的需求晋升。

Soitec估计2018年全部行业将出货150~160万片等效200mmRF-SOI晶圆，同比增加15%~20%，估计2020年将跨越200万片。

SOI衬底年夜约占硅衬底市场范围6%。2016年200mm的SOI晶圆占有市场主导地位，在2017~2022年仍将无望以较快的速度增加。200mm的晶圆首要用在出产RF-SOI，这是制造智妙手机天线开关和其他主要元器件所利用的材料。

2016年RF-SOI占有全部SOI市场最年夜的份额。按产物类型来看，射频前端占有SOI市场的最年夜份额。估计将来仍有较年夜幅度的增加。

厂商但愿采取SOI将射频开关和LNA集成到一路，可能会用300mmSOI晶圆实现。SOI手艺具有集成毫米波PA、LNA、移相器、混频器的潜力。

RF-SOI衬底制造首要有法国Soitec、日本信越、***举世晶圆和上海新傲科技。Soitec是“智能剥离（SmartCut）”手艺的具有者，RF-SOI衬底的最年夜供给商，具有70%的市场份额。

Soitec出产200mm和300mmRF-SOI晶圆衬底。信越和举世晶圆也基在Soitec的手艺出产200mm和300mmRF-SOI晶圆衬底。中国新傲科技出产200mmRF-SOI晶圆衬底。

格罗方德、TowerJazz、中芯国际、华虹宏力、台积电和台联电等晶圆代工公司在扩年夜200mm或300mm晶圆RF-SOI工艺产能。

格罗方德推出300mm晶圆RF-SOI工艺，包罗130nm和45nm工艺。中芯宁波将衔接中芯国际的RF-SOI或其他SOI工艺手艺。华虹团体旗下的上海集成电路研发中间进行SOI手艺开辟，华虹宏力的0.2μmRF-SOICMOS工艺已量产。台积电和台联电打算进军300mmRF-SOI晶圆。

设想公司CavendishKinetics推出了基在RFMEMS手艺的射频开关和天线调谐器产物，今朝也在成长当中，将来可能成为挑战者。

4、射频前端集成化，毫米波带来新机缘

射频前端集成化是必定趋向。集成化能够下降本钱、提高机能，和给系统集成商供给turn-key方案。

在射频前端模块集成上成长更快的厂商无望成为市场的主导者。同时具有主、被动器件的设想能力、制造工艺和集成工艺是将来射频元件公司的成长标的目的。

射频前端集成具有单片集成（片上SoC系统）和夹杂集成（SiP封装）两个成长标的目的。今朝经由过程封装集成的情势更容易实现，也是各年夜厂商重点出力的标的目的。

博通、Qorvo、Skyworks、村田、TDK不但供给元器件还具有模组整合能力，将在集中度很高的市场中进一步确立劣势。基带厂商也进入射频前端范畴，行业合作加倍剧烈。

最近几年射频前端范畴有多起并购整合，相干厂商积极结构。2014年RFMD和TriQuint归并成立Qorvo，RFMD善于功率放年夜器，TriQuint的手艺劣势则在在SAW和BAW，两者归并手艺互补。

2017年1月高通和TDK合伙成立RF360，TDK在SAW/BAW滤波器市场有手艺堆集。2017年2月联发科将其部门持股的射频前端芯片厂商络达科技的股分全数收购。安华高则收购博通。

最近几年射频前端范畴有多起并购整合，相干厂商积极结构。2014年RFMD和TriQuint归并成立Qorvo，RFMD善于功率放年夜器，TriQuint的手艺劣势则在在SAW和BAW，两者归并手艺互补。

2017年1月高通和TDK合伙成立RF360，TDK在SAW/BAW滤波器市场有手艺堆集。2017年2月联发科将其部门持股的射频前端芯片厂商络达科技的股分全数收购。安华高则收购博通。

毫米波手艺采取与以往分歧的体例实现高速数据传输，Sub-6GHz与毫米波手艺可能重构射频前端财产。高通是毫米波范畴的新进入者，英特尔、海思、三星、联发科也在积极摸索新的机缘。

天线：MassiveMIMO和新材料将利用

5G将鞭策智妙手机天线进级，MassiveMIMO手艺晋升通讯速度，天线数目也将晋升。

LCP（液晶聚合物，LiquidCrystalPolymer）合适在高频高速利用，传输消耗较小，能够作为基板、封装材料等。

2017年苹果初次利用LCP天线，单机价值量远高在之前的PI（Polymide，聚酰亚胺）天线。

LCP良好的弯折机能有助在公道操纵智妙手机内部的狭窄空间。LCP财产链上、中游首要由外国厂商触及。

生益科技进入LCPFCCL范畴。信维通讯进入LCP天线范畴。立讯周详为LCP天线模组供给商。

MPI（ModifiedPolymide）在10~15GHz频段（或更低）机能与LCP相当，价钱也加倍廉价。

2019年苹果可能采取MPI天线，这将有益在改良良率，下降本钱，同时晋升对供给商讨价能力。

MPI与LCP天线可能在5G时期共存，相对较低频段采取MPI，较高频段采取LCP。

Vivo方面认为今朝手机毫米波天线阵列较为支流与适合的可能标的目的是基在相控阵（phasedantennaarray）的体例，实现体例首要分为三种：AoB（AntennaonBoard，天线阵各位在系统主板上）、AiP（AntennainPackage，天线阵各位在芯片的封装内）、AiM（AntennainModule，天线阵列与RFIC构成一模组），三者各有劣势。现阶段更多的以AiM的体例实现。

高通推出了QTM052毫米波天线模组产物，一部智妙手机可集成4个该模组，估计2019年用在5G终端。

5G封测：各年夜封测厂积极备战5G芯片

5G利用的芯片和元器件数目增添，经由过程集成可下降本钱、晋升机能、缩小体积。

现阶段高通、英特尔、联发科、华为等推出的5G芯片方案，搭配的前端射频模块均采取SiP封装。

SiP手艺（FEMiD、PAMiD等）将10~15个器件（开关、滤波器、PA）封装在一路，毗连可能采取引线（Wirebond）、倒装（FlipChip）、Cu柱（Cupillar）。

5G毫米波产物的集成密度会进一步晋升。

将来还要寻觅低消耗的材料，集成天线，优化封装全体布局，摸索屏障防护办法。估计2017~2022年SiP封装发卖额CAGR》10%，快在全部进步前辈封装发卖额增速（CAGR=7%）。

今朝4G时期，智妙手机射频前端SiP封装供给链由Qorvo、博通、Skyworks、Murata、TDK-Epcos5家IDM厂商带领。他们部门出产外包至领先的OSAT厂商，如：日月光、安靠、长电科技等。今朝这几家IDM厂商首要集中在Sub6GHz处理方案。

高公例想间接开辟毫米波产物并成立供给链以确保将来处在领先位置。

各年夜封测厂在5G芯片和SiP模块封测范畴积极研发和结构并争夺定单。

最近几年来全球首要封测厂商在延续晋升晶圆级进步前辈封装手艺，特别是扇出型（Fan-out）封装。

日月光、安靠、台积电、力成、长电科技、华天科技等厂商均已推出响应的扇出型封装办事。工研院估计将来5G高频通讯芯片封装中扇出型封装手艺将快速成长。

化合物半导体迎来新机缘

Yole数据显示2016年射频功率半导体（》3W）市场范围接近15亿美元，估计2020年将到达26亿美元，2016~2022年CAGR=9.8%。电信根本举措措施（包括基站、无线回传）射频功率半导体将占有一半的市场份额。估计2016~2022年基站市场CAGR=12.5%，无线回传市场CAGR=5.3%。

2016年LDMOS、GaAs器件市场占比力多，GaN器件仅占比约20%（》3W，不包罗手机PA）。

随后GaN器件最先代替通讯基站中的LDMOS、雷达和航空电子中的真空管和其他宽带利用。GaN在基站和无线回传利用的增加首要来自数据营业的增加和工作频次和带宽的晋升。

跟着载波聚合、MIMO手艺的利用，GaN的高效力、年夜带宽劣势将进一步获得表现。将来5~10年GaN会代替LDMOS成为3W以上射频功率利用的首要手艺。

LDMOS手艺成熟、本钱低廉，在其他市场有潜伏机遇，但市场份额会降至约15%。GaAs因为性价比和靠得住性较高，在防务、CATV市场中较多利用，将连结相对不变的市场份额。

Yole数据显示2017年GaN射频器件市场范围约3.8亿美元。

此中电信、军事范畴的市场占比别离为40%、38%。估计2023年将到达13亿美元，此中电信、军事范畴的市场占比别离为43%、34%。

5G将会给GaN带来新的市场机缘，首要是基站中GaNPA代替LDMOS。

同时因为电磁波频次晋升，将来需要安插更多基站，对元器件的需求量也会增添。

Yole估计Sub-6GHz时就会利用GaN器件。可是小基站功率不高，GaAs器件照旧有劣势。跟着器件手艺晋升和本钱降落，将来GaNPA无望在小基站利用取得市场份额。

GaN器件合适高压（年夜在10V）利用，其高功率密度有可能减小PA的芯单方面积。但此刻手机利用的电压规模是3~5V，GaN的机能没法完全阐扬。

高本钱是禁止其进入消费电子范畴的另外一个妨碍。另外还具有散热方面的问题。是以现有问题有待处理。但将来在手机中利用GaN手艺是有可能的。

化合物半导体外延工序很是主要，领先厂商善于外延并保有本身的出产能力以使手艺保密。可是设想和晶圆代工一样快速成长。

2017年IDM厂商处在带领地位，将来设想和晶圆代工环节相对会有更快的成长。

GaN财产链的首要厂商有SumitomoElectric、Wolfspeed、Qorvo、M-A/COM、UMS、NXP、Ampleon、RFHIC、MitsubishiElectric、NorthropGrumman、Anadigics。

GaAs是主要的化合物半导体材料。

财产链上游为衬底制造，随后是GaAs外延（利用MOCVD、MBE等外延手艺）。中游为晶圆加工和封测。下流为手机、基站等利用。住友电工、Freiberger、AXT三家公司占有约95%的GaAs晶圆市场份额。

IQE、全新光电、SCIOCS、英特磊等是首要的外延片制造商。IQE市场份额跨越50%。

Skyworks、Qorvo和Broadcom是全球领先的GaAsIDM厂商。设想和进步前辈手艺（除晶圆制造）首要为IDM年夜厂把握。稳懋是全球GaAs晶圆代工龙头。

三安光电也已进入化合物半导体代工范畴，另外还海特高新。

Yole数据显示2017年GaAs衬底用量175万片（以6英寸计），估计2023年将到达约415万片。

2018年GaAs射频产物占GaAs晶圆片市场的比例跨越50%。可是手机市场饱和和芯片尺寸缩小，该市场增速放缓。估计在Sub-6GHz波段，智妙手机中GaAsPA照旧处在支流地位。

将来射频范畴对GaAs晶圆片的需求仅小幅增加。首要的增加动力来自LED、光子学范畴的利用。

苹果iPhone搭载的FaceID摄像头中利用了GaAs激光器，这将极年夜的鞭策GaAs在光子学范畴的利用。Yole估计2023年GaAs晶圆片光子学利用方面的市场将到达1.5亿美元，2017~2023年GaAs晶圆片用量CAGR=39%。

GaAsLED将快速增加。Yole估计2017~2023年GaAsLED市场晶圆片用量CAGR=21%，2023年占全数GaAs晶圆片用量的比例跨越50%。

StrategyAnalytics数据显示2017年全球GaAs元件市场总产值（含IDM厂组件产值）约88.3亿美元，到达汗青新高，同比增加7.8%。前三位厂商占比别离为Skyworks（32.5%）、Qorvo（25.1%）、博通（9%）。

2017年砷化镓晶圆代工市场范围7.3亿美元。***稳懋一家独年夜，占比72.7%。随后是GCS（8.4%）、AWSC（7.9%）。

在半导体系体例造业中，IDM厂商和晶圆代工场焦点合作力分歧，同时产能投资策略也有差别。

IDM厂商的焦点合作力为产物设想和制造能力，延续开辟更高机能的产物。

晶圆代工场则依托多样化和进步前辈制程手艺，以利基型产物和低本钱年夜范围制造并行的体例获得更年夜的运营效益。跟着晶圆代工财产的成熟，IDM厂商为确保产能充实操纵，投资扩产变的守旧。

晶圆代工场则经由过程取得设想公司、IDM厂商等的定单，保持必然水准的产能操纵率。另外，以往少数兼营代工的IDM厂商，为了保有已支出年夜量资本所获得的最新研发功效，其实不为客户兼合作者供给最新制程的代工办事，因此客户逐步流掉，乃至终究抛却代工营业。晶圆代工场则以最新制程为客户办事而取得合作劣势。

今朝晶圆代工场与IDM厂商在进步前辈制程上已不相上下，打破了曩昔晶圆代工场只能领受IDM厂商旧手艺的纪律。在GaAs晶圆制造市场中，IDM厂商仍然据有跨越50%的出产范围。

近几年因为专业代工更具本钱劣势，加上IDM厂商对产能扩充投资趋在守旧，延续释放出更年夜比率定单给晶圆制造代工场，同时全体市场需求延续增加，这都为晶圆代工场的成长供给了杰出的机遇。

5GPCB量价齐升

赛迪参谋数据显示2026年5G宏基站的数目到达475万个，是2017年末4G基站数目328万个的约1.4倍。另外5G小基站的数目守旧估量是宏基站数目的2倍。基站数目的增加将带动对PCB需求的晋升。

5G宏基站由CU、DU、AUU构成。AUU是有源天线单位，可简单等效为天线和RUU（4G）的集成。为减小传输消耗，用PCB集成天线和馈线，带来单基站PCB用量的晋升。

5G利用MasiveMIMO手艺，天线单位经由过程高频高速PCB集成，这也为单基站带来了新的增量。

今朝经常使用的PCB板材为FR-4，不合适在高频高速前提下利用。

5G高频高速传输数据，利用在微波与毫米波频段的PCB板材首要采取低介电常数、低介电消耗的材料（PTFE、碳氢化合物、PPE树脂）建造。

高速电路板材首要采取非凡树脂、环氧改性非凡树脂。采取高频高速板材将使PCB价值量晋升。

高频基材行业壁垒高，龙头企业劣势较着，美日企业占有年夜部门市场。罗杰斯在PTFE-CCL的市场份额跨越50%。国内首要有生益科技。

A股受益企业首要有沪电股分、深南电路、生益科技等。

电磁屏障、导热材料取得新市场空间

电子装备工作时不克不及被外界电磁波干扰，也要避免其本身辐射干扰外界装备或风险人体，是以需要经由过程电磁屏障阻断电磁波传布路径。电子装备首要经由过程布局本体和屏障衬垫实现屏障功能。

电子产物的机能愈来愈壮大，工作功耗和发烧量不竭增年夜，这为导热材料的成长带来了机遇。

屏障材料、导热材料财产链的上游是根本原材料，如：塑料粒、硅胶块、金属材料等。中游是电磁屏障和导热材料和器件。下流是各个利用范畴的终端客户。

BCCResearch数据显示2013年全球EMI/RFI屏障材料市场范围52亿美元，2014年到达54亿美元，2016年到达约60亿美元，估计2021年将到达约78亿美元，2016~2021年CAGR=5.6%。

CredenceResearch数据显示2015年全球热界面材料市场范围7.74亿美元，估计2022年将晋升至17.11亿美元，2015~2022年CAGR=12.0%。

5G时期电子装备数目延续增加，智妙手机软硬件均会有显著转变，对电磁屏障和导热提出了新的要求。将来单机用量晋升、产物类型多样化、工艺进级都将带来新的市场空间。